报告题目:原子尺度下材料中的表面与界面(Surfaces and Interfaces in Inorganic Materials at the Atomic Scale)

报告时间：2015年11月19日（星期四）上午10:00-11:30

报告地点：5教304教室

报 告 人:王中长

联系方式：日本东北大学原子分子材料科学高等研究机构，日本国仙台市青叶区2-1-1，邮编980-8577，电子邮箱：zcwang@wpi-aimr.tohoku.ac.jp

报告人简介：王中长，日本东北大学副教授。2007获日本东京大学博士学位。2008年至2009年，任日本东北大学助手，2009年至2012年，任日本东北大学助理教授，2013年起，任副教授。一直从事无机材料的原子层面制备、表征、制卸及第一性原理和分子动力学计算。在材料、相界面的基本原子结构与物理力学性能直接关联方面取得了较大进展。负责了17项包括日本国文部省科学研究费在内的国家和企业课题研究。在国际著名学术期刊Nature, Nature Nanotech., Nature Commun., Nano Lett., Adv. Mater., Angew Chemie, Phys. Rev., Appl. Phys. Lett.等上发表SCI检索论文160篇。其中Nature以及子刊10篇。参与两部英文专著的撰写。在28个主要的国际会议上做邀请或者专题报告。相关研究成果获国际材料晶界与相大会年轻科学家奖，日本材料学会材料研究促进奖，国际材料联合会年轻科学家奖，NEC最高科学技术奖等。相关成果被朝日新闻、读壳新闻、日本经济新闻、东京新闻等宣传。

内容摘要：无机材料中的表面和界面对其性能影响很大。已有大量研究表明，通过有效改变材料表面和界面，无机材料的诸多性能能得到有效地控制。比如，在半导体工业，退火能够有效改变半导体中的界面，从而改变其接触电阻/势垒。但目前对于这种界面-性能关系的阐述并不明确，特别是在原子层面上。近年来，我们致力于该关系的基础原理阐述，结合原子尺度表面界面表征技术及第一性原理计算方法来研究不同材料体系下的表面界面与性能的依存关系。本报告第一部分主要讲述TiO2表面以及Au/TiO2的接触界面对表面催化的影响。第二部分阐述退火工艺如何改变SiC半导体器件中界面接触类型（Shottky到Ohmic接触），并从原子尺度上解释该过程中接触界面变化对接触传导的影响。第三部分讲述单晶体Ruddlesden-Popper (RP)中的稀土La掺杂对其电性能的影响机理（从非金属到金属转变）。最后，报告将介绍我们对界面结构中最基础现象晶界和位错的研究成果，其中涵盖：晶界对点缺陷的吸收诱发晶界超结构的形成机制以及超结构对材料性能的影响；位错的基本形貌以及位错种类的计算预测和实验验证